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          首頁 > 期刊 > 半導(dǎo)體技術(shù) > 一款直流偏移自校準(zhǔn)的多模數(shù)模轉(zhuǎn)換器 【正文】

          一款直流偏移自校準(zhǔn)的多模數(shù)模轉(zhuǎn)換器

          作者:林雁飛; 徐肯; 梁振; 葉暉 廣州工程技術(shù)職業(yè)學(xué)院機(jī)電工程系; 廣州510520; 華南理工大學(xué)電子與信息學(xué)院; 廣州510640; 廣州市廣晟微電子有限公司; 廣州510641

          摘要:設(shè)計(jì)了一款應(yīng)用于GSM/WCDMA/LTE發(fā)射機(jī)中的多模10 bit數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC),該DAC采用了5+5的分段式電阻型結(jié)構(gòu),達(dá)到面積和性能優(yōu)化折中。通過數(shù)字可編程設(shè)計(jì),該DAC可根據(jù)不同帶寬和數(shù)據(jù)率的要求合理地控制偏置電流的大小,實(shí)現(xiàn)不同應(yīng)用場景的低功耗目標(biāo)。此外,該DAC還集成了一款改進(jìn)的直流偏移自校準(zhǔn)電路,將發(fā)射機(jī)本振泄露的抑制提高了20 dB以上。而且,直流偏移自校準(zhǔn)在芯片上電期間完成,既不影響通道的正常工作,又不消耗額外的功耗,解決了現(xiàn)有的技術(shù)問題。該DAC采用0.13μm 1P4M CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)和流片,占用芯片面積小于0.1 mm~2。測試結(jié)果表明,該DAC在0.1~10 MHz的信號帶寬下,具有63.0~76.8 dB的信噪失真比(SNDR)和67.9~77.9 dB的無雜散動態(tài)范圍(SFDR);在1.5 V的供電電壓下的最大功耗為2.2 mW。

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          半導(dǎo)體技術(shù)雜志

          半導(dǎo)體技術(shù)雜志, 月刊,本刊重視學(xué)術(shù)導(dǎo)向,堅(jiān)持科學(xué)性、學(xué)術(shù)性、先進(jìn)性、創(chuàng)新性,刊載內(nèi)容涉及的欄目:趨勢與展望、半導(dǎo)體集成電路、半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體制備技術(shù)、先進(jìn)封裝技術(shù)等。于1976年經(jīng)新聞總署批準(zhǔn)的正規(guī)刊物。

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