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					金剛石熱控制提高InAlGaN晶體管輸出功率 【正文】
					
				
          
			
          

			
          
				
          
					
          
						
						
          金剛石熱控制提高InAlGaN晶體管輸出功率
          

						
						
						

						

						
          摘要：日本富士通研究所近期報道了在金剛石熱控制的基礎(chǔ)上,適用于碳化硅(SiC)上~3GHz InAlGaN高電子遷移率晶體管(HEMT)[Toshihiro Ohki et al,IEEE Electron Device Letters,published online 5December 2018]。其中熱管理是實現(xiàn)更高功率密度的關(guān)鍵步驟。金剛石是一種具有非常高導(dǎo)熱性的材料。
          
						

						
          注：因版權(quán)方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社。
          
						
						
						
						
					
          
				
          
				
				
				
          
	
          
		
	
          
	
          
		
          半導(dǎo)體信息雜志
          
		
          半導(dǎo)體信息雜志，
		雙月刊，本刊重視學(xué)術(shù)導(dǎo)向，堅持科學(xué)性、學(xué)術(shù)性、先進(jìn)性、創(chuàng)新性，刊載內(nèi)容涉及的欄目：企業(yè)指南、國內(nèi)外半導(dǎo)體技術(shù)與器件、市場動態(tài)等。于1990年經(jīng)新聞總署批準(zhǔn)的正規(guī)刊物。
          
		
            
			
			
          • 部級期刊
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          • 1個月內(nèi)審核
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          服務(wù)介紹LITERATURE
          
					
          
						
          
							
          正規(guī)發(fā)表流程  全程指導(dǎo)
          
							
          多年專注期刊服務(wù)，熟悉發(fā)表政策，投稿全程指導(dǎo)。因為專注所以專業(yè)。
          
							
						
          
						
          
							
          保障正刊  雙刊號
          
							
          推薦期刊保障正刊，評職認(rèn)可，企業(yè)資質(zhì)合規(guī)可查。
          
							
						
          
						
          
							
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