二維正方形光子晶體填充率對(duì)晶體帶隙的影響
作者：陳義萬; 杜海霞; 陳昭蓉 湖北工業(yè)大學(xué)理學(xué)院; 湖北武漢430068; 火箭軍工程大學(xué)基礎(chǔ)部; 陜西西安710025; 廣西大學(xué)計(jì)算機(jī)與電子信息學(xué)院; 廣西南寧530004
摘要：用有限時(shí)域差分方法（FDTD）對(duì)比研究了下列二維光子晶體的帶隙：第1組,半徑r=0.2μm圓柱,折射率n=4,晶格常數(shù)a=0.4μm;第2組,半徑為r=0.2μm圓柱,折射率n=4,晶格常數(shù)a=0.6μm;第3組,內(nèi)半徑r1=0.1μm,外半徑r2=0.2μm,折射率n=4,晶格常數(shù)a=0.4μm;第4組,內(nèi)半徑r1=0.1μm,外半徑r2=0.2μm,折射率n=4,晶格常數(shù)a=0.6μm,并且對(duì)每一組光子晶體進(jìn)行挖孔操作,然后比較不同填充率對(duì)光子晶體材料的帶隙的影響,以及同種材料和結(jié)構(gòu)、挖孔對(duì)帶隙的影響。對(duì)于緊密排列的二維光子晶體,挖孔會(huì)使帶隙向長波方向移動(dòng);對(duì)于填充率小的光子晶體,或者環(huán)形柱二維光子晶體,中間挖孔不影響帶隙的范圍。
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廣西物理雜志
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