摘要:理論上,SrTiO3(以下簡稱STO)晶界層電容器介電常數(shù)取決于陶瓷片的晶粒大小、導電性、晶界絕緣層的厚度和介電常數(shù).但對實際的STO晶界層陶瓷電容器研究發(fā)現(xiàn),金屬電極與STO陶瓷片的表面接觸對電容器的電容和介電常數(shù)也有很大影響.研究表明,當電極/STO為非歐姆接觸時,STO陶瓷片的電容和介電常數(shù)較小;當電極/STO為歐姆接觸時,STO陶瓷片電容器的電容和介電常數(shù)增大.采用Ag漿制作電極時,通過調(diào)整燒制Ag電極的溫度和時間,當T=880℃,t=3.5h時,STO電容器的介電性能達到最佳,εr=22850,tgδ=1.0%.
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湖北大學學報·哲學社會科學版雜志, 雙月刊,本刊重視學術(shù)導向,堅持科學性、學術(shù)性、先進性、創(chuàng)新性,刊載內(nèi)容涉及的欄目:政治學研究、哲學研究、經(jīng)濟學研究、法律學研究、管理學研究、文學研究、語言學研究、心理學研究等。于1974年經(jīng)新聞總署批準的正規(guī)刊物。