摘要:本文以4,4’-二氨基二苯醚、均苯四甲酸二酐為原料,制備聚酰亞胺(Polyimide,PI)薄膜。并將其與籠型倍半硅氧烷(Polyhedral oligomeric silsesquioxane,POSS),通過(guò)原位分散聚合法制備了具有低介電常數(shù)POSS/PI復(fù)合薄膜。研究了POSS填充量對(duì)POSS/PI復(fù)合材料介電、熱穩(wěn)定性及力學(xué)性能的影響。結(jié)果表明:摻入POSS的含量為0.5wt%時(shí),POSS/PI復(fù)合材料的介電常數(shù)與介電損耗明顯降低,熱分解溫度變化不大,拉伸強(qiáng)度略有降低。
注:因版權(quán)方要求,不能公開全文,如需全文,請(qǐng)咨詢雜志社。
化學(xué)工程師雜志, 月刊,本刊重視學(xué)術(shù)導(dǎo)向,堅(jiān)持科學(xué)性、學(xué)術(shù)性、先進(jìn)性、創(chuàng)新性,刊載內(nèi)容涉及的欄目:功能材料、生物工程、催化與分離提純技術(shù)、油田化學(xué)品與油田添加劑、農(nóng)藥合成、醫(yī)藥及精細(xì)化工等。于1988年經(jīng)新聞總署批準(zhǔn)的正規(guī)刊物。